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薄膜型銻化銦霍爾元件芯片項目落地天津經開區

本報訊(記者 萬紅)6月30日,記者從天津經開區了解到,日前,由南開大學電光學院科研團隊孵化的薄膜型銻化銦霍爾元件芯片項目正式落地天津經開區泰達微電子創新產業園。項目運營主體天津同芯半導體有限公司將深耕高端霍爾芯片國產化研發與量產,補齊國內細分領域技術、產品和產能短板,為區域半導體產業集群再添細分賽道核心力量。

薄膜型銻化銦霍爾元件廣泛應用于新能源汽車、機器人、智能裝備等關鍵領域,作為傳感核心功能芯片,國內市場長期高度依賴進口。

本次落地的項目為南開大學電光學院前沿科研成果,計劃總投資3000萬元,規劃分3期梯次布局3條薄膜型銻化銦霍爾元件芯片產線。該產線擁有全套自主知識產權,囊括了核心薄膜制備及芯片成型工藝等技術,實現完全自主可控。目前,項目多款關鍵生產設備已由團隊自主研發并實現產業化驗證,其中部分設備為國內首臺套,徹底打破海外技術、設備雙重壁壘。項目全面投產后,產品可直接對標、替代日韓進口霍爾芯片,積極保障國內產業鏈供應鏈穩定安全。

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